名字 | 阙端麟 |
解析 | 阙端麟 【介绍】: 技术科学部学部委员。 半导体材料学家。男,1928年5月出生,福建福州人。浙江大学教授,高纯矽及矽烷国家重点实验室学术委员会副主任。1951年厦门大学毕业。 主要贡献:50年代末开始提纯矽烷及制备高纯矽的研究,在国内首创用矽烷法制备纯矽,首次为国内电子工业提供了急需用的纯矽烷气体;70年代完成了高纯矽烷及多晶矽生产的成套技术研究,工艺简单流程短,易于保证高纯度,成为我国生产高纯矽烷的主要方法;负责并领导了极高阻矽单晶的研制并成功地研制出了矽单晶;近年来在红外探测器用掺镓矽方面又取得了新的进展。在矽单晶电学测试方面,进行了新的测试方法和理论研究,提出了又频动态电导法和间隙加热法;发展了单色红外光电导衰减技术和理论,使矽单晶工业产品寿命测试仪全部国产化。 80年代从理论探索首先提出用氮作为保护气直拉矽单晶技术,冲破长期以来认为氮与矽在高温下会发生化学反应的思想束缚,生产出优质低成本硅单晶,成为一项由中国人发明的新技术。(1992年新增学部委员) |
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