【介绍】：

数学物理学部学部委员。

红外物理学家。男，1920年5月出生，江苏金坛人。中国科学院上海技术物理研究所研究员，红外物理国家重点实验室学术委员会主任。1942年原中央大学物理系毕业，1951年美国芝加哥大学物理系硕士研究生毕业。

主要贡献：我国半导体学科和红外技术的创始人之一。早在留美期间，发现高压下金属Ce化学键的改变；首创金刚石高压容器，成为国际上高压研究的重要仪器。

回国後在国际上首先定量地解释了锗光电导光谱分布的物理现象，首次实验证实表面复合速度在光电导过程中的重要作用，提出的锗的光电导光谱分布理论，被国内外着名学者引入专着。在我国开创了窄禁带半导体器件和物理的系统研究，提出了碲镉汞能带参数的计算公式以及电子输运和杂质缺陷理论，在窄禁带半导体能带参数、零禁带半导体的导电现象、窄禁带半导体P-N结特性研究中有所创新。在红外光电器件研制中取得了多项先进实用的成果。(1992年新增学部委员)